キヤノンは13日、ナノインプリントリソグラフィ技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売したと発表した。この装置は、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を採用、シンプルな仕組みで微細な回路パターンを形成できるという特色を持っている（キヤノン）。
従来の露光技術では、ウエハー上に塗布されたレジスト（樹脂）に光を照射し回路を焼き付けるが、新製品では、マスクをウエハー上のレジスト（樹脂）に印鑑のように直接押し付け、マスクに刻まれた回路パターンを正確に転写する方式を採用した。従来の方法と異なり、光学系の介在物がないため、微細な回路パターンを正確に再現できる。具体的には、最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノードに相当する最小線幅14nmのパターン形成ができるという。
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Source: スラッシュドット
